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參數(shù)資料
| 型號： | M28W800BB70N6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，啟動塊3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 25/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 369K |
| 代理商： | M28W800BB70N6T |
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M28W800CT, M28W800CB
Table 16. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if V
PP
is seen as a logic input (V
PP
< 3.6V).
Symbol
Alt
Parameter
M28W800C
Unit
70
85
90
100
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min
70
85
90
100
ns
t
AVWH
t
AS
Address Valid to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Valid to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
0
0
ns
t
ELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70
85
90
100
ns
t
QVVPL(1,2)
Output Valid to V
PP
Low
Min
0
0
0
0
ns
t
QVWPL
Output Valid to Write Protect Low
Min
0
0
0
0
ns
t
VPHWH(1)
t
VPS
V
PP
High to Write Enable High
Min
200
200
200
200
ns
t
WHAX
t
AH
Write Enable High to Address Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Data Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
0
0
ns
t
WHEL
Write Enable High to Chip Enable Low
Min
25
25
30
30
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
20
20
30
30
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
25
25
30
30
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
WPHWH
Write Protect High to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W800BB70ZB1T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800BB70ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800BB85N1T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800BB85N6T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800BB85ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W800BB90N1 | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BB90ZB6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BT100N6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BT90N6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 512KX16 90NS 48TSOP - Trays |
| M28W800CB90N1 | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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