參數資料
型號： M29F200T-120M1TR
廠商： 意法半導體
英文描述： 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
中文描述： 2兆位的256Kb x8或128KB的x16插槽，啟動座單電源閃存
文件頁數： 15/22頁
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代理商： M29F200T-120M1TR
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M29F200BT, M29F200BB
Figure 8. Write AC Waveforms, Write Enable Controlled
AI01991
E
G
W
A0-A16/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWH
tGHWL
RB
tWHRL
Table 12. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
(T
A
= 0 to 70
°
C, –40 to 85
°
C or –40 to 125
°
C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29F200B
Unit
45
55
70 / 90
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
45
55
70
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
40
40
45
ns
t
DVWH
t
DS
Input Valid to Write Enable High
Min
25
25
30
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
Min
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
20
20
20
ns
t
AVWL
t
AS
Address Valid to Write Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Write Enable Low to Address Transition
Min
40
40
45
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WHRL(1)
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
30
30
ns
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
High to Chip Enable Low
Min
50
50
50
μ
s
相關PDF資料
PDF描述
M29F200T-120M3R 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200T-90N6TR Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop 5-SOT-23 -40 to 85
M29F200T-90N6R Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop with Clear and Preset 8-DSBGA -40 to 85
M29F200T-90N3TR Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop with Clear and Preset 8-UQFN -40 to 85
M29F200T-90N3R Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop with Clear and Preset 8-UQFN -40 to 85
相關代理商/技術參數
參數描述
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