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參數(shù)資料
| 型號： | M29F200T-55M6TR |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位的256Kb x8或128KB的x16插槽，啟動座單電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 14/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | M29F200T-55M6TR |
M29F200BT, M29F200BB
14/22
Figure 7. Read Mode AC Waveforms
AI02915
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQX
VALID
A0-A16/
A–1
G
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
E
tELQV
tEHQX
tGHQZ
VALID
tBHQV
tELBL/tELBH
tBLQZ
BYTE
Table 11. ReadAC Characteristics
(TA = 0 to 70
°
C, –40 to 85
°
C or –40 to 125
°
C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29F200B
Unit
45
55
70 / 90
t
AVAV
t
RC
Address Validto Next Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
45
55
70
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
45
55
70
ns
t
ELQX(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output
Transition
G = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
45
55
70
ns
t
GLQX(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output
Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
25
30
30
ns
t
EHQZ(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
15
18
20
ns
t
GHQZ(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
15
18
20
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or
Address Transition to Output
Transition
Min
0
0
0
ns
t
ELBL
t
ELBH
t
ELFL
t
ELFH
Chip Enable to BYTE Low or High
Max
5
5
5
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Low to Output Hi-Z
Max
15
15
20
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE High to Output Valid
Max
30
30
30
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F200T-55N1R | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M29F200T-55N1TR | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M29F200T-55N3R | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M29F200T-55N3TR | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M29F200T-120M1TR | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29F200T-70XM1 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M29F200T-70XN1 | 功能描述:閃存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F200T-90M1 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256Kx8 or 128Kx16 90 RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M29F200T-90N1 | 功能描述:閃存 RO 511-M29F200BT70N 256KX8 OR 128KX16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F400B-90N1 | 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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