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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29F200T-55M6TR |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位的256Kb x8或128KB的x16插槽，啟動(dòng)座單電源閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | M29F200T-55M6TR |
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M29F200BT, M29F200BB
Figure 8. Write AC Waveforms, Write Enable Controlled
AI01991
E
G
W
A0-A16/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWH
tGHWL
RB
tWHRL
Table 12. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
(T
A
= 0 to 70
°
C, –40 to 85
°
C or –40 to 125
°
C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29F200B
Unit
45
55
70 / 90
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
45
55
70
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
40
40
45
ns
t
DVWH
t
DS
Input Valid to Write Enable High
Min
25
25
30
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
Min
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
20
20
20
ns
t
AVWL
t
AS
Address Valid to Write Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Write Enable Low to Address Transition
Min
40
40
45
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WHRL(1)
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
30
30
ns
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
High to Chip Enable Low
Min
50
50
50
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F200T-55N1R | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M29F200T-55N1TR | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M29F200T-55N3R | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M29F200T-55N3TR | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M29F200T-120M1TR | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29F200T-70XM1 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M29F200T-70XN1 | 功能描述:閃存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F200T-90M1 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 256Kx8 or 128Kx16 90 RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M29F200T-90N1 | 功能描述:閃存 RO 511-M29F200BT70N 256KX8 OR 128KX16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F400B-90N1 | 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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