參數(shù)資料
型號(hào)： M29W004BB55N1T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4 Mbit 512Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
中文描述： 4兆位512KB的× 8，啟動(dòng)塊低壓單電源閃存
文件頁數(shù)： 20/30頁
文件大小： 222K
代理商： M29W004BB55N1T
Symbol
Alt
Parameter
M29W004T / M29W004B
Unit
-120
-150
V
CC
= 2.7V to 3.6V
V
CC
= 2.7V to 3.6V
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
120
150
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
50
50
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
50
50
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
20
20
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
50
50
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
0
0
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
50
50
μ
s
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
0
0
ns
t
PHPHH
(1,2)
t
VIDR
RP Rise TIme to V
ID
500
500
ns
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
500
500
ns
t
EHRL (1)
t
BUSY
Program Erase Valid to RB Delay
90
90
ns
t
PHWL (1)
t
RSP
RP High to Write Enable Low
4
4
μ
s
Notes:
1. Sample only, not 100% tested.
2. This timing is for Temporary Block Unprotection operation.
Table 16B. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or –40 to 85
°
C)
20/30
M29W004T, M29W004B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W008ET70N1E Low Noise High-Speed Precision Single Supply Operational Amplifier 8-SOIC
M29W008ET70N1F Low Noise High-Speed Precision Single Supply Operational Amplifier 8-SOIC
M29W008ET70N6E Low Noise High-Speed Precision Single Supply Operational Amplifier 8-SOIC
M29W008ET70N6F Low Noise High-Speed Precision Single Supply Operational Amplifier 8-SOIC
M29W008EB90N1E 8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W004BB55N6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W004BB70N1 功能描述:閃存 4M (512Kx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W004BB70N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W004BB70N6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W004BB90N1 功能描述:閃存 4M (512Kx8) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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