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參數(shù)資料
| 型號： | M29W640DB90N6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 megabit and 8Mb X8 or 4Mb x16 slot, the boot block 3V supply flash memory |
| 中文描述： | 64兆位和8Mb x8或4Mb的x16插槽，啟動塊3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 1/49頁 |
| 文件大小： | 945K |
| 代理商： | M29W640DB90N6F |
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December 2004
M29W640DT
M29W640DB
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block)
3V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
SUPPLY VOLTAGE
–
V
CC
=
2.7V to 3.6V for Program, Erase,
Read
–
V
PP
=12 V for Fast Program (optional)
ACCESS TIME: 90 ns
PROGRAMMING TIME
–
10 μs per Byte/Word typical
–
Double Word Programming Option
135 MEMORY BLOCKS
–
1 Boot Block and 7 Parameter Blocks,
8 KBytes each (Top or Bottom Location)
–
127 Main Blocks, 64 KBytes each
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
–
Embedded Byte/Word Program
algorithms
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
–
Read and Program another Block during
Erase Suspend
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
–
Faster Production/Batch Programming
V
PP
/WP Pin for FAST PROGRAM and WRITE
PROTECT
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
COMMON FLASH INTERFACE
–
64-bit Security Code
EXTENDED MEMORY BLOCK
–
Extra block used as security block or to
store additional information
LOW POWER CONSUMPTION
–
Standby and Automatic Standby
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
ELECTRONIC SIGNATURE
–
Manufacturer Code: 0020h
–
Top Device Code M29W640DT: 22DEh
–
Bottom Device Code M29W640DB:
22DFh
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Figure 1. Packages
TSOP48 (N)
12 x 20mm
TFBGA63 (ZA)
63 ball array
FBGA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W640DT70ZA6E | 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W640DB70ZA6E | 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W640DT90ZA6E | 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W640DB90ZA6E | 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W640DT90ZA1E | 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W640DB90ZA6 | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W640DB90ZA6T | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 8MX8/4MX16 90NS 63TFBGA - Tape and Reel |
| M29W640DT90N6 | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W640DT90N6E | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W640DT90ZA6 | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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