參數(shù)資料
型號: M29W640DB90N6F
廠商: 意法半導體
元件分類: DRAM
英文描述: 64 megabit and 8Mb X8 or 4Mb x16 slot, the boot block 3V supply flash memory
中文描述: 64兆位和8Mb x8或4Mb的x16插槽,啟動塊3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù): 7/49頁
文件大?。?/td> 945K
代理商: M29W640DB90N6F
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M29W640DT, M29W640DB
Figure 4. TFBGA Connections (Top view through package)
Note: 1. Balls are shorted together via the substrate but not connected to the die.
6
5
4
3
2
1
VSS
A15
A14
A12
A13
DQ3
DQ11
DQ10
A18
VPP
/
WP
RB
DQ1
DQ9
DQ8
DQ0
A6
A17
A7
G
E
A0
A4
A3
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DQ6
DQ13
DQ14
A10
A8
A9
DQ4
VCC
DQ12
DQ5
A19
A21
RP
W
A11
DQ7
A1
A2
VSS
A5
A20
A16
BYTE
C
B
A
E
D
F
G
H
DQ15
A–1
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
J
K
L
M
8
7
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
AI05735
相關PDF資料
PDF描述
M29W640DT70ZA6E 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB70ZA6E 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DT90ZA6E 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90ZA6E 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DT90ZA1E 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M29W640DB90ZA6 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DB90ZA6T 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 8MX8/4MX16 90NS 63TFBGA - Tape and Reel
M29W640DT90N6 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DT90N6E 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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