參數(shù)資料
型號(hào)： M29W641DH70N6F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
中文描述： 64兆位4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 19/42頁(yè)
文件大?。?/td> 641K
代理商： M29W641DH70N6F
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M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC Characteristic tables that follow are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment Conditions summarized in the relevant
tables. Designers should check that the operating
conditions in their circuit match the measurement
conditions when relying on the quoted parame-
ters.
Table 7. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 7. AC Measurement I/O Waveform
Figure 8. AC Measurement Load Circuit
Table 8. Device Capacitance
Note: Sampled only, not 100% tested.
Parameter
M29W641D
Unit
70
90
100
120
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.6
2.7
3.6
3.0
3.6
2.7
3.6
V
V
CCQ
Supply Voltage
3.0
3.6
2.7
3.6
1.65
1.95
1.65
1.95
V
Ambient Operating Temperature
–40
85
–40
85
–40
85
–40
85
°C
Load Capacitance (C
L
)
30
30
30
30
pF
Input Rise and Fall Times
10
10
10
10
ns
Input Pulse Voltages
0 to V
CCQ
0 to V
CCQ
0 to V
CCQ
0 to V
CCQ
V
Input and Output Timing Ref.
Voltages
V
CCQ
/2
V
CCQ
/2
V
CCQ
/2
V
CCQ
/2
V
AI05557b
VCCQ
0V
VCCQ/2
AI05558b
CL
CL includes JIG capacitance
DEVICE
UNDER
TEST
25k
VCCQ
25k
VCC
0.1μF
VCCQ
0.1μF
VPP
0.1μF
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W641DL70N6F 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU70N6F 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DH90N6F 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DL90N6F 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU90N6F EMI Filter; Current Rating:3A; Voltage Rating:250V; Depth:74mm; Height:30mm; Weight:160g; Width:38mm
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W641DH90N6 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W641DL90N6 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W641DU90ZA6 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AB100M1 功能描述:閃存 SO-44 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AB100N1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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