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參數(shù)資料
| 型號： | M29W641DH70ZA6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 9/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 641K |
| 代理商： | M29W641DH70ZA6F |
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M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU
V
CCQ
can be tied to V
CC
or can use a separate
supply.
V
SS
Ground.
V
SS
is the reference for all voltage
measurements. The device features two V
SS
pins
which must be both connected to the system
ground.
Note: Each device in a system should have
V
CC
,
V
CCQ
and V
PP
decoupled from V
SS
with a
0.1μF ceramic capacitor close to the pin for
current surge protection (high frequency, in-
herently low inductance capacitors should be
as close as possible to the device). See Figure
8, AC Measurement Load Circuit. The PCB
trace widths should be sufficient to carry the
required V
PP
program and erase currents. See
Table 9, DC Characteristics.
Table 2. Bus Operations
Note: X = V
IL
or V
IH
.
Operation
E
G
W
Address Inputs
A0-A21
Data Inputs/Outputs
DQ15-DQ0
Bus Read
V
IL
V
IL
V
IH
Cell Address
Data Output
Bus Write
V
IL
V
IH
V
IL
Command Address
Data Input
Output Disable
X
V
IH
V
IH
X
Hi-Z
Standby
V
IH
X
X
X
Hi-Z
Read Manufacturer
Code
V
IL
V
IL
V
IH
A0 = V
IL
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
Others V
IL
or V
IH
0020h
Read Device Code
V
IL
V
IL
V
IH
A0 = V
IH
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
Others V
IL
or V
IH
22C7h
Extended Memory
Block Verify Code
V
IL
V
IL
V
IH
A0 = V
IH
, A1 = V
IH
, A6 = V
IL
,
A9 = V
ID
, Others V
IL
or V
IH
98h (factory locked, WP protects
highest address block)
18h (not factory locked, WP
protects highest address
block)
88h (factory locked, WP protects
lowest block)
08h (not factory locked, WP
protects lowest block)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W641DH70ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DH70ZA6E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DL70ZA6E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DU70ZA6E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DH90ZA6E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W641DH90N6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W641DL90N6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W641DU90ZA6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100M1 | 功能描述:閃存 SO-44 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100N1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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