參數(shù)資料
型號： M29W800AT100ZA1T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Low-Power Single Schmitt-Trigger Buffer 5-SOT -40 to 85
中文描述： 8兆1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊低壓單電源閃存
文件頁數(shù)： 15/33頁
文件大小： 234K
代理商： M29W800AT100ZA1T
15/33
M29W800AT, M29W800AB
Table 16. Read AC Characteristics
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or –40 to 85
°
C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. G may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of E without increasing t
ELQV
.
3. To be considered only if the Reset pulse is given while the memory is in Erase or Program mode.
Symbol
Alt
Parameter
Test
Condition
M29W800AT / M29W800AB
Unit
100
120
V
CC
= 2.7V to 3.6V
CL = 30pF
V
CC
= 2.7V to 3.6V
CL = 30pF
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
RC
Address Validto Next
Address Valid
E = V
IL,
G = V
IL
100
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Validto Output
Valid
E = V
IL,
G = V
IL
100
120
ns
t
AXQX
t
OH
Address Transition to
Output Transition
E = V
IL,
G = V
IL
0
0
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE Switching High to
Output Valid
50
60
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Switching Low to
Output High Z
50
60
ns
t
EHQX
t
OH
Chip Enable High to Output
Transition
G = V
IL
0
0
ns
t
EHQZ(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output
Hi-Z
G = V
IL
30
30
ns
t
ELBH
t
ELBL
t
ELFH
t
ELFL
Chip Enable to BYTE
Switching Low or High
5
5
ns
t
ELQV(2)
t
CE
Chip Enable Low to Output
Valid
G = V
IL
100
120
ns
t
ELQX(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output
Transition
G = V
IL
0
0
ns
t
GHQX
t
OH
Output Enable High to
Output Transition
E = V
IL
0
0
ns
t
GHQZ(1)
t
DF
Output Enable High to
Output Hi-Z
E = V
IL
30
30
ns
t
GLQV(2)
t
OE
Output Enable Low to
Output Valid
E = V
IL
40
50
ns
t
GLQX(1)
t
OLZ
Output Enable Low to
Output Transition
E = V
IL
0
0
ns
t
PHEL
t
RH
RP High to Chip Enable
Low
50
50
ns
t
PLYH(1, 3)
t
RRB
t
READY
RP Low to Read Mode
10
10
μ
s
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
500
500
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W800AT100N6T Low-Power Single Schmitt-Trigger Buffer 5-SC70 -40 to 85
M29W800AB100ZA6T 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB100ZA1T 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB100N6T 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB100N5T 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W800AT120M1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AT120N1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AT120N6 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AT120ZA6 功能描述:閃存 LFBGA48 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AT80N1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 80ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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