參數(shù)資料
型號： M29W800DB90M6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述： 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 26/41頁
文件大?。?/td> 219K
代理商： M29W800DB90M6T
M29W800DT, M29W800DB
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PACKAGE MECHANICAL
SO44 – 44 lead Plastic Small Outline, 525 mils body width, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
SO44 – 44 lead Plastic Small Outline, 525 mils body width, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
2.80
0.1102
A1
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A2
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b
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C
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CP
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E
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D
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e
1.27
–
–
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–
–
HE
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L
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N
44
44
α
8
8
SO-d
E
N
D
C
L
A1
α
EH
A
1
e
CP
b
A2
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PDF描述
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參數(shù)描述
M29W800DB90N1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800DB90N6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
M29W800DB90N6T 功能描述:IC FLASH 8MBIT 90NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
M29W800DT45N6E 功能描述:閃存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800DT45N6F 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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