參數(shù)資料
型號: M29W800DT90N1T
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
中文描述: 8兆(1兆x8或512KB的x16插槽,引導(dǎo)塊)3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù): 28/41頁
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代理商: M29W800DT90N1T
M29W800DT, M29W800DB
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TFBGA48 6x9mm – 6x8 active ball array – 0.80mm pitch, Bottom View Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
TFBGA48 6x9mm – 6x8 active ball array – 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.200
0.0079
A2
1.000
0.0394
b
0.400
0.350
0.450
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D
6.000
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0.2402
D1
4.000
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ddd
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0.0039
E
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9.100
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e
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0.0315
E1
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FD
1.000
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FE
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SD
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SE
0.400
0.0157
E1
E
D1
D
e
b
A2
A1
A
BGA-Z00
ddd
FD
FE
SD
SE
e
BALL "A1"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W800DT90N6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DT90ZA1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DT90ZA6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90M1T 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB90M6T 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W800DT90N6 功能描述:IC FLASH 8MBIT 90NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
M29W800FB70N3E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 70NS 48TSOP
M29W800FB70N3F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 70NS 48TSOP
M29W800FB70ZA3SE 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 70NS 48TFBGA
M29W800FB70ZA3SF 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel