參數(shù)資料
型號(hào)： M2V56S30ATP-6
元件分類： DRAM
英文描述： 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 14/51頁(yè)
文件大小： 430K
代理商： M2V56S30ATP-6
21
MITSUBISHI ELECTRIC
May '02
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev.1.41)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40 AKT
256M Synchronous DRAM
M2V56S20/ 30/ 40 ATP
CLK
Command
DQ
Command
DQ
Command
DQ
Command
DQ
Command
DQ
Command
DQ
CL=2
CL=3
[ Read Interrupted by Precharge ]
A burst read operation can be interrupted by a precharge of the same bank . READ to PRE interval is
minimum 1 CLK.
A PRE command to output disable latency is equivalent to the /CAS Latency.
Read Interrupted by Precharge (BL=4)
PRE
READ
Q0
Q1
Q2
PRE
READ
Q0
Q1
PRE
READ
Q0
PRE
READ
Q0
Q1
Q2
PRE
READ
Q0
Q1
PRE
READ
Q0
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PDF描述
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