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參數(shù)資料

型號：	M368L5623MTN
廠商：	SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述：	DDR SDRAM Unbuffered Module
中文描述：	DDR SDRAM的緩沖模塊
文件頁數(shù)：	13/17頁
文件大?。?/td>	250K
代理商：	M368L5623MTN

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Preliminary

2GB Unbuffered DIMM

Rev. 0.0 April 2004

DDR SDRAM

2GB, 256M x 64 Non ECC Module (M368L5623MTN) (Populated as 2 bank of x8 DDR SDRAM Module)

Functional Block Diagram

CS0

DQS0

DM0

DM/

CS

DQS

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

D0

DQS1

DM1

DM/

CS

DQS

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

D1

DQS2

DM2

DM/

CS

DQS

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

D2

DQS3

DM3

DM/

CS

DQS

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

D3

DQS4

DM4

DM/

CS

DQS

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

D4

DQS5

DM5

DM/

CS

DQS

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

D5

DQS6

DM6

DM/

CS

DQS

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

D6

DQS7

DM7

DM/

CS

DQS

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

D7

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

I/O 7

I/O 6

I/O 1

I/O 0

I/O 5

I/O 4

I/O 3

I/O 2

DM/

CS

DQS

D8

DM/

CS

DQS

D9

DM/

CS

DQS

D10

DM/

CS

DQS

D11

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

DM/

CS

DQS

D12

DM/

CS

DQS

D13

DM/

CS

DQS

D14

DM/

CS

DQS

D15

CS1

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 0

I/O 1

I/O 6

I/O 7

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

A0 - A13

A0-A13: DDR SDRAMs D0 - D15

RAS

RAS : DDR SDRAMs D0 - D15

CAS

CAS : DDR SDRAMs D0 - D15

WE

WE : DDR SDRAMs D0 - D15

BA0 - BA1

BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D15

VSS

D0 - D15

VDD/VDDQ

D0 - D15

VREF

VDDSPD

SPD

D0 - D15

*Clock Net Wiring

* Clock Wiring

Clock

Input

DDR SDRAMs

*CK0/CK0

*CK1/CK1

*CK2/CK2

4 DDR SDRAMs

6 DDR SDRAMs

A0

Serial PD

A1

A2

SA0

SA1

SA2

SCL

SDA

WP

Card

Edge

D3/D0/D5

D11/D8/D13

Cap/D1/D6

Cap/D9/D14

D4/D2/D7

D12/D10/D15

R=120

CK0/1/2

*

CKE 0/1

CKE : DDR SDRAMs D0 - D15

CK0/1/2

Notes :

1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended

but may be changed.

2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be

maintained as shown.

3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.

4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 3 Ohms +

5%

相關(guān)PDF資料	PDF描述
M368L6523BTM-CCC	DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II
M368L6523BTM-LCC	DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II
M368L6523BTN-LB3	DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II
M368L6523BUM-CCC	DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II
M368L6523BUM-LCC	DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
M368L5623MTN-CA2	制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module
M368L5623MTN-CB0	制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module
M368L5623MTN-CB3	制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module
M368L6423DTM-CCC	制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC
M368L6423DTM-CCC/C4	制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC

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