參數(shù)資料
型號(hào): M464S0924CT1-L1H
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 8Mx64 SDRAM SODIMM based on 8Mx16, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
中文描述: 8Mx64 SDRAM內(nèi)存的SODIMM在8M × 16位,4Banks,4K的刷新,3.3V的同步DRAM的社民黨
文件頁(yè)數(shù): 3/9頁(yè)
文件大小: 105K
代理商: M464S0924CT1-L1H
M464S0924CT1
PC100 SODIMM
Rev. 0.0 April. 2000
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
V
DD
Vss
Three 0.1uF X7R 0603Capacitors
per each SDRAM
To all SDRAMs
CS0
DQM0
DQM1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
Serial PD
SDA
WP
SCL
SA1 SA2
SA0
LDQM
CS
UDQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U2
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
LDQM
CS
UDQM
CLK1
10
10pF
DQM2
DQM3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U1
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
LDQM
CS
UDQM
DQM7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U3
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
LDQM
CS
UDQM
A0 ~ A11, BA0 & 1
CKE0
RAS
CAS
WE
SDRAM U0 ~ U3
SDRAM U0 ~ U3
SDRAM U0 ~ U3
SDRAM U0 ~ U3
SDRAM U0 ~ U3
DQM4
DQM5
DQM6
U0
U1
CLK0
U2
U3
DQn
Every DQ pin of SDRAM
10
Use a zero ohm jumper to isolate A12 from the SDRAM pins in non-256Mbit designs.
Note :
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M464S0924CT1 8Mx64 SDRAM SODIMM based on 8Mx16, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
M4M40 0 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
M50-00000S045 6 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT
M50-00000S046 6 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT
M55302/119-12 100 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, RECEPTACLE
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參數(shù)描述
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