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參數(shù)資料
| 型號： | M52D16161A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 19/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 771K |
| 代理商： | M52D16161A |
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ES MT
Read & Write Cycle with auto Precharge @ Burst Length =4
M52D16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.5
19/29
*Note: 1.t
CDL
Should be controlled to meet minimum t
RAS
before internal precharge start
(In the case of Burst Length=1 & 2 and BRSW mode)
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
C L O C K
C K E
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA
CL= 2
CL=3
Row Active
( A - Bank )
Row Active
( B - Bank )
Read with
Auto Precharge
( A - Bank )
Auto Precharge
Start Point
(B- Bank)
: D o n ' t C a r e
Qa1
Qa2
Qa3
Db1
Db2
Db3
Db0
Qa0
Ra
Cb
Ra
Ca
Rb
Rb
Qa1
Qa2
Qa3
Db1
Db2
Db3
Db0
Qa0
W rite with
Auto Precharge
(B-Bank)
HIGH
Auto Precharge
Start Point
( A - Bank)
CS
RAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52D16161A-10BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-10BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-10TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52D16161A_09 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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