參數(shù)資料
型號(hào)： M52D32162A-10TG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 25/30頁(yè)
文件大?。?/td> 784K
代理商： M52D32162A-10TG
ES MT
Active/Precharge Power Down Mode @CAS Latency=2, Burst Length=4
M52D32162A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2007
Revision
:
1.4
25/30
*Note :
1.Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2.CKE should be set high at least 1CLK+tss prior to Row active command.
3.Can not violate minimum refresh specification. (32ms)
C L O C K
C K E
A D D R
DQ
DQ M
A10/AP
Active
Power-down
Exit
P r e c h a r g e
: D o n ' t c a r e
*Note3
*N ot e 2
*N ot e 1
t
S S
Ra
Ra
Qa0
Qa1
Qa2
t
S H Z
Precharge
Power-Down
Entry
Precharge
Power-Down
Exit
Row Active
Active
Power-down
Entry
Read
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Ca
BA
RAS
CAS
CS
W E
t
SS
t
SS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M52D32162A-7.5BG 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52D32162A-7.5TG 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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M52D32321A-10BG 512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52D32321A-7.5BG 512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
M52D32162A-7.5BG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52D32162A-7.5TG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52D32162A-7BG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D32162A-7TG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D32321A 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
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