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參數(shù)資料
| 型號： | M52D32321A-7.5BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 19/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 707K |
| 代理商： | M52D32321A-7.5BG |
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ES MT
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
M52D32321A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2007
Revision
:
1.3
19/29
*Note: 1.t
CDL
should be met to complete write.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S128168A | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-10BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-10TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-7.5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52S128168A-7.5TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52D32321A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D64164A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D64164A-10BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D64164A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D64322A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
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