參數(shù)資料
型號(hào)： M52S128168A-10BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 20/47頁(yè)
文件大?。?/td> 1213K
代理商： M52S128168A-10BG
ES MT
Preliminary
M52S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
20/47
3. CAS Interrupt (I)
*Note : 1. By “interrupt” is meant to stop burst read/write by external before the end of burst.
By ” CAS interrupt ”, to stop burst read/write by CAS access; read and write.
2. t
CCD
:CAS to CAS delay. (=1CLK)
3. t
CDL
: Last data in to new column address delay. (=1CLK)
CLK
CMD
ADD
DQ( CL2)
DQ (CL3)
RD
QB0
QB2
Q A0
CLK
CMD
ADD
DQ
WR
DA 0
DB0
DB 1
RD
A
B
QB1
QB3
Q B0
QB2
QA0
QB3
QB1
t
C C D
* N ot e 2
W R
t
C CD * N ot e 2
A
B
t
CD L
* N ot e 3
WR
RD
t
CC D * No t e 2
A
B
DA0
DB0
DB1
t
CD L
* N ot e 3
DA0
DB 0
DB1
DQ (CL3)
DQ( CL2)
1) Re ad i nt e rr upt ed b y R ea d ( B L= 4)
2) W ri t e i nt e rr up t ed by W r it e ( BL= 2)
3) Wr it e i nt e rr upt e d b y R ea d ( BL= 2)
* Not e 1
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PDF描述
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