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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M52S16161A-10BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 9 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 6.4 X 10.10 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 28/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 770K |
| 代理商： | M52S16161A-10BG |
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ES MT
PACKING
60-BALL
M52S16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2007
Revision
:
1.5
28/29
DIMENSIONS
SDRAM ( 6.4x10.1 mm )
Symbol
A
A
1
A
2
Φ
b
D
E
D
1
E
1
e
Controlling dimension : Millimeter.
Dimension in mm
Min
Norm
0.20
0.25
0.61
0.66
0.30
0.35
6.30
6.40
10.00
10.10
3.90
9.10
0.65
Dimension in inch
Min
Norm
0.008
0.010
0.024
0.026
0.012
0.014
0.248
0.252
0.394
0.398
0.154
0.358
0.026
Max
1.00
0.30
0.71
0.40
6.50
10.20
Max
0.039
0.012
0.028
0.016
0.256
0.402
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52S16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-8BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-8TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S32162A-10BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52S16161A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52S16161A-8BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S16161A-8TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52S32162A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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