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參數(shù)資料
| 型號： | M58LW128A150ZA6T |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 150 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 21/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 932K |
| 代理商： | M58LW128A150ZA6T |
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Table 11. Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles
Note: (TA = 0 to 70°C; VDD = 2.7V to 3.6V; VDDQ =1.8V)
Parameters
M58LW128A/B
Unit
Min
Typ
Typical after
100k W/E Cycles
Max
Block (1Mb) Erase
0.75
5
s
Block Program
0.8
s
Program Write Buffer
192
s
Program Suspend Latency Time
3
10
s
Erase Suspend Latency Time
10
30
s
Block Protect Time
192
s
Blocks Unprotect Time
0.75
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
Data Retention
20
years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58WR064EB85ZB6T | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA56 |
| M58WR064KU70ZA6U | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| M5L28FGNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M3L13TCNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M3L14FCNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW128AN | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N1F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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