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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M59DR008E100ZB1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 25/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | M59DR008E100ZB1T |
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M59DR008E, M59DR008F
Table 27. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
(T
A
= 0 to 70 °C or –40 to 85 °C; V
DD
= V
DDQ
= 1.65V to 2.2V)
Symbol
Alt
Parameter
M59DR008
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
100
120
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
50
50
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
50
50
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
30
30
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
50
50
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
0
0
ns
t
VDHWL
t
VCS
V
DD
High to Write Enable Low
50
50
μs
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
30
30
ns
t
PLQ7V
RP Low to Reset Complete During
Program/Erase
15
15
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR008E100ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008EZB | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008FZB | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008EN | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR008E100ZB6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M59DR008E120N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120N6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M59DR008E120ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120ZB6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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