參數(shù)資料
型號(hào)： M59DR008E100ZB6T
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
中文描述： 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存
文件頁(yè)數(shù)： 21/37頁(yè)
文件大小： 267K
代理商： M59DR008E100ZB6T
21/37
M59DR008E, M59DR008F
Table 25. Read AC Characteristics
(TA = 0 to 70°C or –40 to 85°C; V
DD
= V
DDQ
= 1.65V to 2.2V)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. G may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of E without increasing t
ELQV
.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M59DR008
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next
Address Valid
E = V
IL
, G = V
IL
100
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output
Valid (Random)
E = V
IL
, G = V
IL
100
120
ns
t
AVQV1
t
PAGE
Address Valid to Output
Valid (Page)
E = V
IL
, G = V
IL
35
45
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output
Transition
G = V
IL
0
0
ns
t
ELQV
(2)
t
CE
Chip Enable Low to Output
Valid
G = V
IL
100
120
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to
Output Transition
E = V
IL
0
0
ns
t
GLQV
(2)
t
OE
Output Enable Low to
Output Valid
E = V
IL
25
35
ns
t
EHQX
t
OH
Chip Enable High to Output
Transition
G = V
IL
0
0
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output
Hi-Z
G = V
IL
25
35
ns
t
GHQX
t
OH
Output Enable High to
Output Transition
E = V
IL
0
0
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to
Output Hi-Z
E = V
IL
25
35
ns
t
AXQX
t
OH
Address Transition to
Output Transition
E = V
IL
, G = V
IL
0
0
ns
t
PHQ7V1
RP High to Data Valid
(Read Mode)
150
150
ns
t
PHQ7V2
RP High to Data Valid
(Power Down enabled)
50
50
μs
t
PLQ7V
RP Low to Reset Complete
During Program/Erase
15
μs
t
PLPH
t
RP
RP Pulse Width
100
100
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M59DR008E 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008EZB 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008FZB 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008EN 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008F 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M59DR008E120N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E120N6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M59DR008E120ZB1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E120ZB6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M59DR008EN 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
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