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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M59DR008E100ZB6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/37頁(yè) |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | M59DR008E100ZB6T |
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M59DR008E, M59DR008F
Figure 8. Write AC Waveforms, E Controlled
Note: Address are latched on the falling edge of E, Data is latched on the rising edge of E.
AI03218
E
G
W
A0-A18
DQ0-DQ15
VALID
VALID
VDD
tVDHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEH
tGHEL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR008E | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008EZB | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008FZB | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008EN | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR008E120N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120N6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M59DR008E120ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120ZB6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M59DR008EN | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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