- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359084 > M59DR008EN (意法半導(dǎo)體) 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M59DR008EN |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 28/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | M59DR008EN |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁當前第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
M59DR008E, M59DR008F
28/37
Table 28. Data Polling and Toggle Bits AC Characteristics
(1)
(T
A
= 0 to 70 °C or –40 to 85 °C; V
DD
= V
DDQ
= 1.65V to 2.2V)
Note: 1. All other timings are defined in Read AC Characteristics table.
Symbol
Parameter
M59DR008
Unit
Min
Max
t
WHQ7V
Write Enable High to DQ7 Valid (Program, W Controlled)
10
200
μs
Write Enable High to DQ7 Valid (Block Erase, W Controlled)
1.0
10
sec
t
EHQ7V
Chip Enable High to DQ7 Valid (Program, E Controlled)
10
200
μs
Chip Enable High to DQ7 Valid (Block Erase, E Controlled)
1.0
10
sec
t
Q7VQV
Q7 Valid to Output Valid (Data Polling)
0
ns
t
WHQV
Write Enable High to Output Valid (Program)
10
200
μs
Write Enable High to Output Valid (Block Erase)
1.0
10
sec
t
EHQV
Chip Enable High to Output Valid (Program)
10
200
μs
Chip Enable High to Output Valid (Block Erase)
1.0
10
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR008F | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100N1T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100N6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100ZB1T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR008EZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。