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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M59DR008EN |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/37頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | M59DR008EN |
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M59DR008E, M59DR008F
34/37
Table 31. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Mechanical Data
Symbol
mm
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.20
0.047
A1
0.05
0.15
0.002
0.006
A2
0.95
1.05
0.037
0.041
B
0.17
0.27
0.007
0.011
C
0.10
0.21
0.004
0.008
D
19.80
20.20
0.780
0.795
D1
18.30
18.50
0.720
0.728
E
11.90
12.10
0.469
0.476
e
0.50
–
–
0.020
–
–
L
0.50
0.70
0.020
0.028
α
0°
5°
0°
5°
N
48
48
CP
0.10
0.004
Figure 14. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Outline
Drawing is not to scale.
TSOP-a
D1
E
1
N
CP
B
e
A2
A
N/2
D
DIE
C
L
A1
α
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR008F | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100N1T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100N6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100ZB1T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR008EZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F100ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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