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參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V64S20ATP-8A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64M號（4銀行甲4194304字× 4位）同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 41/48頁 |
| 文件大小： | 1097K |
| 代理商： | M5M4V64S20ATP-8A |
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M5M4V64S20ATP-8, -10, -12
Jan'97
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.0.2)
Read Interrupted by Precharge @BL=4 CL=3
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
DQM
A0-9
A10
A11
BA0,1
DQ
X
X
X
0
Y
0
Q0
Q0
Q0
ACT#0
READ#0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
tRCD
Y
1
PRE#1
CLK
X
X
X
1
tRRD
Q1
Q1
ACT#1
PRE#0
Q0
DQM read latency=2
1
Y
1
Burst Read is not interrupted
by Precharge of the other bank.
0
X
X
X
1
tRCD
tRP
READ#1
ACT#1
READ#1
Burst Read is interrupted
by Precharge of the same bank.
41
Italic parameter
indicates minimum case
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V64S20ATP-8L | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M51008KR-10L | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
| M5M51008KR-10LL | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
| M5M51008KR-55L | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
| M5M51008KR-55LL | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V64S20ATP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
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