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參數(shù)資料
| 型號： | M68Z128W |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable |
| 中文描述： | 3V的，1兆位的輸出128KB的x8低功耗SRAM啟用 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 96K |
| 代理商： | M68Z128W |
9/12
M68Z128W
Figure 10. Low V
CC
Data Retention AC Waveforms
AI00664
DATA RETENTION MODE
tR
3.6V
tCDR
VCC 3V
VDR > 1.4V
E1 2.2V
E1
≥
VDR – 0.2V
E2
≤
0.2V
E2 0.8V
Table 9. Low V
CC
Data Retention Characteristics
(T
A
= 0 to 70°C)
Symbol
Parameter
Note: 1. All other Inputs at V
IH
≥
V
CC
– 0.2V or V
IL
≤
0.2V.
2. See Figure 10 for measurement points. Guaranteed but not tested.
t
AVAV
is Read cycle time.
Test Condition
V
CC
= 3V, E1
≥
V
CC
– 0.2V,
E2
≤
0.2V, f = 0
E1
≥
V
CC
– 0.2V, E2
≤
0.2V, f = 0
Min
Typ
Max
Unit
I
CCDR (1)
Supply Current (Data Retention)
0.01
2
μA
V
DR (1)
t
CDR (1,2)
t
R (2)
Supply Voltage (Data Retention)
1.4
V
Chip Disable to Power Down
E1
≥
V
CC
– 0.2V, E2
≤
0.2V, f = 0
0
ns
Operation Recovery Time
t
AVAV
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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