參數(shù)資料
型號(hào)： M95080-R
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： DRAM
英文描述： 16 Kbit and 8 Kbit serial SPI bus EEPROM with high speed clock
中文描述： 16千位和8千位串行SPI高速時(shí)鐘總線的EEPROM
文件頁(yè)數(shù)： 28/45頁(yè)
文件大?。?/td> 270K
代理商： M95080-R
DC and AC parameters
M95160, M95080
28/45
Table 13.
Table 14.
Table 15.
Capacitance
(1)
1.
Sampled only, not 100% tested, at T
A
= 25 °C and a frequency of 5 MHz.
Symbol
Parameter
Test condition
Min.
Max.
Unit
C
OUT
Output capacitance (Q)
V
OUT
= 0 V
8
pF
C
IN
Input capacitance (D)
V
IN
= 0 V
8
pF
Input capacitance (other pins)
V
IN
= 0 V
6
pF
DC characteristics (M95160 and
M95080
, device grade 3)
Symbol
Parameter
Test condition
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input leakage current
V
IN
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
LO
Output leakage current
S = V
CC
, V
OUT
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
CC
Supply current
C = 0.1V
CC
/0.9V
CC
at 5 MHz,
V
CC
= 5 V, Q = open
3
mA
I
CC1
Supply current
(Standby)
S = V
CC
, V
CC
= 5 V,
V
IN
= V
SS
or
V
CC
5
μA
V
IL
Input low voltage
–0.45
0.3 V
CC
V
V
IH
Input high voltage
0.7 V
CC
V
CC
+1
V
V
OL
(1)
V
OH
(1)
1.
For all 5 V range devices, the device meets the output requirements for both TTL and CMOS standards.
Output low voltage
I
OL
= 2 mA, V
CC
= 5 V
0.4
V
Output high voltage
I
OH
= –2 mA, V
CC
= 5 V
0.8 V
CC
V
DC characteristics (M95160 and
M95080
, device grade 6)
Symbol
Parameter
Test condition
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input leakage
current
V
IN
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
LO
Output leakage
current
S = V
CC
, V
OUT
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
CC
Supply current
C = 0.1V
CC
/0.9V
CC
at 10 MHz,
V
CC
= 5 V, Q = open
5
mA
I
CC1
Supply current
(Standby)
S = V
CC
, V
CC
= 5 V,
V
IN
= V
SS
or
V
CC
2
μA
V
IL
Input low voltage
–0.45
0.3 V
CC
V
V
IH
V
OL(1)
Input high voltage
0.7 V
CC
V
CC
+1
V
1.
For all 5 V range devices, the device meets the output requirements for both TTL and CMOS standards.
Output low voltage
I
OL
= 2 mA, V
CC
= 5 V
0.4
V
V
OH
(1)
Output high
voltage
I
OH
= –2 mA, V
CC
= 5 V
0.8 V
CC
V
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PDF描述
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