參數(shù)資料
型號(hào)： MB81116822A-125
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 2×1M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2×1M ×8位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 2 × 100萬(wàn)× 8位超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM（2 × 100萬(wàn)的CMOS × 8位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 38/43頁(yè)
文件大?。?/td> 276K
代理商： MB81116822A-125
38
MB81116822A-125/-100/-84/-67
TIMING DIAGRAM – 10 : WRITE INTERRUPTED BY PRECHARGE (Example @ CL = 3)
t
RP
(min)
t
RWL
(min)
CLK
Command
DQ
Active
Data-In
Last
Data-In
Masked
by PRE
Note:
The Precharge command (PRE) should only be issued after the t
RWL
of final data input, is satisfied.
Precharge
TIMING DIAGRAM – 11 : READ INTERRUPTED BY WRITE (Example @ CL = 3, BL =
4)
CLK
Command
DQM
DQ
Data Out
Masked
Data In
Data In
Note 1
Note 2
Note 3
Write
Notes:
1.
First DQM makes high-impedance state High-Z between last output and first input data.
Second DQM makes internal output data mask to avoid bus contention.
Third DQM in illustrated above also makes internal output data mask. If burst read ends (final data output) at or after the
second clock of burst write, this third DQM is required to avoid internal bus contention.
2.
3.
I
DWD
(same clock)
I
OWD
(2 clocks)
I
DQZ
(2 clocks)
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PDF描述
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