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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB811171622A-84 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2×512K×16 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×512K×16 位同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS為512k × 2 × 16位同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（2 ×的CMOS為512k × 16位同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/43頁(yè) |
| 文件大小： | 601K |
| 代理商： | MB811171622A-84 |
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MB811171622A-125/-100/-84/-67
TIMING DIAGRAM – 12 : WRITE TO READ TIMING (EXAMPLE @ CL = 3, BL = 4)
CLK
Command
DQ
DQM
Note:
Read command should be issued after t
WR
of final data input is satisfied if Read command is applied to the same bank.
Write
Read
D1
Q1
Q2
D3
Masked
by Read
t
WR
(min)
D2
t
CAC
(min)
READA
ACTV
NOP or DESL
ACTV
Q1
Q2
t
RAS
(min)
2 clocks
(same Value as BL)
t
RP
(min)
TIMING DIAGRAM – 13 : READ WITH AUTO-PRECHARGE
(EXAPLE @ CL = 2, BL = 2 Applied to same bank)
CLK
Command
DQM
(DQMU/
DQML)
DQ
Note:
Precharge at read with Auto-precharge command (READA) is started from number of clocks that is the same as Burst
length (BL) after READA command is asserted.
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