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參數(shù)資料
| 型號： | MB8116165B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1米× 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（1米× 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 14/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | MB8116165B-60 |
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14
MB8116165B-50/-60
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
HIGH-Z
ROW ADD
COLUMN ADD
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DH
t
DS
VALID DATA IN
t
RSH
t
AR
t
DHR
LCAS
or
UCAS
V
IH
V
IL
A
0
to A
11
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
OH
V
OL
RAS
V
IH
V
IL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is an “H” or “L” signal. A write cycle can be
implemented in either of three ways – early write, delayed write, or read-modify-write. During all write cycles, timing parameters
t
RWL
, t
CWL
, t
RAL
and t
CAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pins are latched with
the falling edge of LCAS or UCAS and written into memory.
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
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