參數(shù)資料
型號: MB81V17805A-60L
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 200萬× 8位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS(200萬× 8位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 21/30頁
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代理商: MB81V17805A-60L
21
MB81V17805A-60/-60L/-70/-70L
DESCRIPTION
The hyper page mode delayed write cycle is executed in the same manner as the hyper page mode early write cycle except for the
states of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the hyper page
mode delayed write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
VALID
DATA IN
VALID
DATA IN
COL
ADD
COL
ADD
ROW
ADD
Fig. 13 – HYPER PAGE MODE DELAYED WRITE CYCLE
t
RASP
t
RP
t
HPC
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
AR
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
CWL
t
RWL
t
WCH
t
WP
t
CWL
t
WCH
t
RCS
t
WP
t
DZC
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
t
OED
t
ON
t
ON
t
OED
t
OEH
t
ON
t
DZO
t
OEZ
t
ON
t
OEZ
t
OEH
HIGH-Z
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CAS
WE
DQ
(Output)
A
0
to A
10
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
OE
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
“L” or “L”
“H” transition (Address and DQ)
Valid Data
相關PDF資料
PDF描述
MB81V17805A-70 CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V17805A-70L CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V17805B-50 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V17805B-60 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標準包裝:1 系列:*
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