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參數(shù)資料
| 型號： | MB85342C-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32位超級頁面存取模式動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 的CMOS 200萬× 32位的超頁模式內(nèi)存的CMOS（200萬× 32位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 2/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 746K |
| 代理商： | MB85342C-60 |
2
MB85342C-60/-70
I
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (See WARNING)
WARNING:
Permanent device damage may occur if the above
Functional operation should be restricted to the conditions as detailed in the operational sections of
this data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device
reliability.
Absolute Maximum Ratings
are exceeded.
I
PACKAGE
Parameter
Symbol
Value
Unit
Supply Voltage
V
CC
–0.5 to +7.0
V
Input Voltage
V
IN
–0.5 to +7.0
V
Output Voltage
V
OUT
–0.5 to +7.0
±
50
16
V
Short Circuit Output Current
I
OUT
mA
Power Dissipation
P
D
W
°
C
Storage Temperature
T
STG
–55 to +125
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
A
0
A
2
A
4
A
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
A
7
V
CC
A
RAS2
N.C.
N.C.
CAS0
CAS3
RAS0
N.C.
N.C.
DQ
24
DQ
25
DQ
26
DQ
27
DQ
28
DQ
29
DQ
30
DQ
31
N.C.
PD
2
PD
4
V
SS
V
DQ
16
DQ
17
DQ
18
DQ
19
N.C.
A
1
A
3
A
N.C.
DQ
20
DQ
21
DQ
22
DQ
23
N.C.
A
RAS3
N.C.
N.C.
V
CAS2
CAS1
RAS1
WE
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
V
DQ
13
DQ
14
DQ
15
PD
1
PD
3
N.C.
67
68
69
70
Pin #
-60
N.C.
-70
N.C.
PD
1
PD
2
PD
3
PD
4
V
SS
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
Symbol
72-pin SIMM
(MSS-72P-P39)
72-pin SIMM
(MSS-72P-P49)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB85342C-70 | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32位超級頁面存取模式動態(tài)RAM模塊) |
| MB85343C-60 | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超級頁面存取模式動態(tài)RAM模塊) |
| MB85343C-70 | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超級頁面存取模式動態(tài)RAM模塊) |
| MB85344C-60 | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32超級頁面存取模式動態(tài)RAM模塊) |
| MB85344C-70 | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32超級頁面存取模式動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | 功能描述:IC RERAM 4MBIT 5MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:RAM 技術(shù):ReRAM（電阻式 RAM） 存儲容量:4Mb （512K x 8） 時鐘頻率:5MHz 寫周期時間 - 字，頁:17ms 存儲器接口:SPI 電壓 - 電源:1.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 |
| MB85R1001 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_08 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_09 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K × 8) |
| MB85R1001A | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8) |
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