參數(shù)資料
型號： MBD330D
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： Dual Schottky Barrier Diodes
中文描述： 雙肖特基二極管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 180K
代理商： MBD330D
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL CHARACTERISTICS
MBD770DWT1
Figure 10. Total Capacitance
Figure 11. Minority Carrier Lifetime
Figure 12. Reverse Leakage
Figure 13. Forward Voltage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
IF, FORWARD CURRENT (mA)
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
KRAKAUER METHOD
f = 1.0 MHz
,
I
,
I
0.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
10
20
30
40
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0
20
40
60
500
0
80
100
0
5.0
10
15
20
25
35
50
40
45
30
2.0
1.6
1.2
0.8
0
100
10
1.0
0.1
50
10
30
50
70
90
400
300
200
100
0.4
,
,
C
TA = –40
°
C
TA = 85
°
C
TA = 25
°
C
TA = 100
°
C
TA = 75
°
C
TA = 25
°
C
MBD770DWT1
MBD770DWT1
MBD770DWT1
MBD770DWT1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBD110DWT1 Dual Schottky Barrier Diodes
MBD330DWT1 Dual Schottky Barrier Diodes
MBD110DWT1 Dual SCHOTTKY Barrier Diodes
MBD770DWT1 Dual SCHOTTKY Barrier Diodes
MBR2515L SWITCHMODE⑩ Power Rectifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBD330DWT1 功能描述:肖特基二極管與整流器 30V 120mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBD330DWT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 30V 120mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBD-333-AL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor
MBD37846301 制造商:LG Corporation 功能描述:Bumper,Head
MBD38460401 制造商:LG Corporation 功能描述:Bumper,Roller
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