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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29DL161TD-70PFTR-E1 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 46/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 565K |
| 代理商： | MBM29DL161TD-70PFTR-E1 |
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MBM29DL16XTD/BD-70/90
Retired Product DS05-20874-8E_July 12, 2007
50
■ ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
■ PIN CAPACITANCE
Notes :
Test conditions TA = + 25 °C, f = 1.0 MHz
DQ15/A1 pin capacitance is stipulated by output capacitance.
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min
Typ
Max
Sector Erase Time
—
1
10
s
Excludes programming time
prior to erasure
Word Programming Time
—
16
360
μs
Excludes system-level
overhead
Byte Programming Time
—
8
300
μs
Chip Programming Time
—
50
s
Excludes system-level
overhead
Program/Erase Cycle
100,000
—
cycle
—
Parameter
Symbol
Test Setup
Typ
Max
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0
6
7.5
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0
8.5
12
pF
Control Pin Capacitance
CIN2
VIN = 0
8
10
pF
WP/ACC Pin Capacitance
CIN3
VIN = 0
17
18
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV651UE-90TN | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| MBM29LV800TA-12PFTR-X | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| MBM29PL32BM10TN-E1 | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| MBM29PL32TM90TN-E1 | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| MBN400GR12A | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29DL161TD-90PBT | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL161TD-90PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL161TD-90PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL161TE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2MX8/1MX16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL161TE-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
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