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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29DL162TD |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation |
| 中文描述： | 16米（2米x 8/1M × 16）位雙操作 |
| 文件頁數(shù)： | 49/75頁 |
| 文件大?。?/td> | 1089K |
| 代理商： | MBM29DL162TD |
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MBM29DL16XTE/BE
-70/90/12
49
(Continued)
Note: 1.This does not include the preprogramming time.
2.This timing is for Sector Group Protection operation.
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
PIN CAPACITANCE
Note: Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHzs
Parameter Symbols
Description
70
90
12
Unit
JEDEC
Standard
—
t
CSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μs
—
t
RB
Recover Time From RY/BY
Min.
0
0
0
ns
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
500
ns
—
t
RH
RESET High Level Period Before Read
Min.
200
200
200
ns
—
t
FLQZ
BYTE Switching Low to Output High-Z
Max.
30
30
40
ns
—
t
FHQV
BYTE Switching High to Output Active
Max.
70
90
120
ns
—
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY Delay
Max.
90
90
90
ns
—
t
EOE
Delay Time from Embedded Output Enable
Max.
70
90
120
ns
—
t
TOW
Erase Time-out Time
Min.
50
50
50
μs
—
t
SPD
Erase Suspend Transition Time
Max.
20
20
20
μs
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
10
s
Excludes programming time
prior to erasure
Word Programming Time
—
16
360
μ
s
Excludes system-level
overhead
Byte Programming Time
—
8
300
μ
s
Chip Programming Time
—
—
50
s
Excludes system-level
overhead
Program/Erase Cycle
100,000
—
—
cycle
—
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
6
7.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8.5
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
C
IN3
WP/ACC Pin Capacitance
V
IN
= 0
17
18
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29DL162TE70PBT | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162TE70PFTN | 16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162TE70PFTR | 16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162TE70TN | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162TE70TR | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29DL162TD-70PBT | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162TD-70PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162TD-70PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162TD-90PBT | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162TD-90PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
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