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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29DL163TE70PFTN |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation |
| 中文描述： | 16米（2米x 8/1M × 16）位雙操作 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 52/75頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1089K |
| 代理商： | MBM29DL163TE70PFTN |
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MBM29DL16XTE/BE
-70/90/12
52
t
CH
t
WP
t
WHWH1
t
WC
t
AH
CE
OE
t
RC
Addresses
Data
t
AS
t
OE
t
WPH
t
GHWL
t
DH
DQ
7
PD
A0H
D
OUT
WE
555H
PA
PA
t
OH
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
CS
t
CE
t
DS
D
OUT
Figure 6 AC Waveforms for Alternate WE Controlled Program Operations
Notes: 1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
6. These waveforms are for the
×
16 mode. (The addresses differ from
×
8 mode.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29DL163TE70PFTR | 16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL163TE70TN | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL163TE70TR | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162TD | 16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL162TE70PBT | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29DL163TE70PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL163TE70TN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL163TE-70TN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL163TE70TR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL163TE-70TR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
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