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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29DL640E90TR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT Dual Operation |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 63/71頁 |
| 文件大?。?/td> | 913K |
| 代理商： | MBM29DL640E90TR |
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MBM29DL640E
80/90/12
63
Start
No
No
No
Yes
Yes
Yes
Data
=
01h
Device Failed
PLSCNT
=
25
PLSCNT
=
1
Remove V
ID
from A
9
Write Reset Command
Remove V
ID
from A
9
Write Reset Command
Sector Group Protection
Completed
Protect Another Sector
Group
Increment PLSCNT
Read from Sector Group
Addr.
=
SPA, A
1
=
V
IH
A
6
=
A
3
=
A
2
=
A
0
=
V
IL
(
Setup Sector Group Addr.
A
21
, A
20
, A
19
, A
18
, A
17
,
A
16
, A
15
, A
14
, A
13
, A
12
(
OE
=
V
ID
, A
9
=
V
ID
CE
=
V
IL
, RESET
=
V
IH
A
6
=
A
3
=
A
2
=
A
0
=
V
IL
, A
1
=
V
IH
Activate WE Pulse
Time out 100
μ
s
WE
=
V
IH
, CE
=
OE
=
V
IL
(A
9
should remain V
ID
)
)
)
*
Figure 26
Sector Group Protection Algorithm
* : A
-1
is V
IL
in byte mode.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29DL64DF | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF-70 | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF70PBT | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF70TN | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL800TA | 8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29DL64DF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF70PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF70TN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL800BA | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
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