- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377942 > MBM29F016-12 (Fujitsu Limited) CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F016-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 的CMOS 1,600（2米× 8）位閃存（1,600的CMOS（200萬× 8）位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/46頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 520K |
| 代理商： | MBM29F016-12 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)當(dāng)前第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)
22
MBM29F016
-90/-12
I
DC CHARACTERISTICS
TTL/NMOS Compatible
Notes: 1.The I
CC
current listed includes both the DC operating current and the frequency dependent component
(at 6 MHz).
The frequency component typically is 2 mA/MHz, with OE V
IH
.
2.I
CC
active while Embedded Algorithm (program or erase) is in progress.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
—
±
1.0
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
,
V
CC
= V
CC
Max.
—
±
1.0
μ
A
I
LIT
A
9
, OE, RESET Inputs Leakage
Current
V
CC
= V
CC
Max.
A
9
, OE, RESET = 12.0 V
—
50
μ
A
I
CC1
V
CC
Active Current (Note 1)
CE = V
IL
, OE = V
IH
—
40
mA
I
CC2
V
CC
Active Current (Note 2)
CE = V
IL
, OE = V
IH
—
45
mA
I
CC3
V
CC
Current (Standby)
V
CC
= V
CC
Max., CE = V
IH
,
RESET = V
IH
—
1.0
mA
I
CC4
V
CC
Current (Standby, Reset)
V
CC
= V
CC
Max., RESET = V
IL
—
1.0
mA
V
IL
Input Low Level
—
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Level
—
2.0
V
CC
+0.5
V
V
ID
Voltage for Autoselect and Sector
Protection (A
9
, OE, RESET)
V
CC
= 5.0 V
11.5
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage Level
I
OL
= 12 mA, V
CC
= V
CC
Min.
—
0.45
V
V
OH
Output High Voltage Level
I
OH
= –2.5 mA, V
CC
= V
CC
Min.
2.4
—
V
V
LKO
Low V
CC
Lock-Out Voltage
—
3.2
4.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016-90 | CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F016A | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12 | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F016A-12PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTN-X# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F016A-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。