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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F016A-12PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M (2M X 8) BIT |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 33/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-12PFTR |
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33
MBM29F016A
-70/-90/-12
Figure 14 Temporary Sector Group Unprotection Timing Diagram
5 V
RESET
V
CC
CE
WE
RY/BY
t
VLHT
Program or Erase Command Sequence
5 V
t
VLHT
t
VCS
t
VIDR
V
ID
t
VLHT
Unprotection period
DQ
2
DQ
6
WE
Erase
Erase
Suspend
Enter
Embedded
Erasing
Erase Suspend
Read
Enter Erase
Suspend Program
Erase
Suspend
Program
Erase Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Erase
Complete
Toggle
DQ
2
and DQ
6
with OE
Figure 15 DQ
2
vs. DQ
6
Note:
DQ
2
is read from the erase-suspended sector.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTR | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F016A-90PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTR | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F016A-70 | 16M (2M X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-70 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
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