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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F016A-12PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M (2M X 8) BIT |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 41/43頁 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-12PFTR |
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41
MBM29F016A
-70/-90/-12
I
PACKAGE DIMENSIONS
(Continued)
C
1996 FUJITSU LIMITED F48029S-2C-2
Details of "A" part
0.15(.006)
MAX
0.35(.014)
MAX
0.15(.006)
0.25(.010)
INDEX
"A"
18.40±0.20
(.724±.008)
20.00±0.20
(.787±.008)
19.00±0.20
(.748±.008)
0.10(.004)
0.50±0.10
(.020±.004)
0.15±0.05
(.006±.002)
11.50REF
(.460)
0.50(.0197)
TYP
0.20±0.10
(.008±.004)
0.05(0.02)MIN
STAND OFF
+.004
0.05
+0.10
1.10
M
0.10(.004)
1
24
25
48
LEAD No.
*
*
12.00±0.20
(.472±.008)
(Mounting height)
Dimensions in mm(inches)
48-pin plastic TSOP(I)
(FPT-48P-M19)
*: Resin Protrusion. (Each Side:0.15(.006)MAX)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTR | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F016A-90PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTR | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F016A-70 | 16M (2M X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-70 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
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