參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29F017-90
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 1,600（2米× 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓200萬× 8閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 4/48頁
文件大?。?/td> 548K
代理商： MBM29F017-90
4
MBM29F017
-90/-12
FLEXIBLE SECTOR-ERASE ARCHITECTURE
Thirty two 64K byte sectors
8 sector groups each of which consists of 4
adjacent sectors in the following pattern; sec-
tors 0-3, 4-7, 8-11, 12-15, 16-19, 20-23, 24-27,
and 28-31
Individual-sector or multiple-sector erase ca-
pability
Sector group protection is user-definable
1FFFFFH
1EFFFFH
1DFFFFH
1CFFFFH
1BFFFFH
1AFFFFH
19FFFFH
18FFFFH
17FFFFH
16FFFFH
15FFFFH
14FFFFH
13FFFFH
12FFFFH
11FFFFH
10FFFFH
0FFFFFH
0EFFFFH
0DFFFFH
0CFFFFH
0BFFFFH
0AFFFFH
09FFFFH
08FFFFH
07FFFFH
06FFFFH
05FFFFH
04FFFFH
03FFFFH
02FFFFH
01FFFFH
00FFFFH
000000H
SA31
SA30
SA29
SA28
SA3
SA2
SA1
SA0
Sector
Group 7
Sector
Group 0
64K byte
64K byte
64K byte
64K byte
32 Sectors Total
64K byte
64K byte
64K byte
64K byte
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29F017A 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85
MBM29F017A-70PFTN 16M (2M X 8) BIT
MBM29F017A-70PFTR 16M (2M X 8) BIT
MBM29F017A-90PFTN 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85
MBM29F017A-90PFTR 16M (2M X 8) BIT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29F017A 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT
MBM29F017A-12 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT
MBM29F017A-12PFTN 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT
MBM29F017A-12PFTR 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT
MBM29F017A-12PNS 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT
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