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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F017A |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 元件分類： | 基準(zhǔn)電壓源/電流源 |
| 英文描述： | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 1,600（2米× 8）位 |
| 文件頁數(shù)： | 43/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | MBM29F017A |
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43
MBM29F017A
-70/-90/-12
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
I
SON PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
8
sec
Excludes 00H programming
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
150
μs
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
16.8
40
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
Cycles
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN1
Input Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9
10
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN1
Input Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F017A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-70PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-90PFTN | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F017A-90PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-90PNS | 16M (2M X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F017A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PNS | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-70 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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