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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F033C-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 32M (4M X 8) BIT |
| 中文描述： | 32M的（4米× 8）位 |
| 文件頁數(shù)： | 31/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 478K |
| 代理商： | MBM29F033C-12 |
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31
MBM29F033C
-70/-90/-12
Figure 6 Alternate WE Controlled Program Operation Timings
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
t
CH
t
CS
t
WP
t
WHWH1
t
WC
CE
OE
t
RC
A
0
to A
21
Data
t
GHWL
t
CE
t
OE
t
WPH
t
DS
t
DH
DQ
7
PD
A
0H
D
OUT
D
OUT
WE
XXXH
PA
PA
t
OH
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
AS
t
AH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F033C-12PTN | 32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F040A-12 | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F040A-12-X | FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-90-X | FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-70 | 4M (512K ×8) BIT Flash Memoery(512K ×8位 5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F033C-12PTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F033C-12PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F033C-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F033C-70PTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F033C-70PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT |
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