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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F080AC-70PTN |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M X 8) BIT |
| 中文描述： | 8米（1米× 8）位 |
| 文件頁數(shù)： | 43/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | MBM29F080AC-70PTN |
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43
MBM29F080A
-55/-70/-90
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP(I) PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
I
SOP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
8
sec
Excludes 00H programming
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
150
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
8.4
20
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9
10
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
8
10.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9.5
11
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F080AC-70PTR | 8M (1M X 8) BIT |
| MBM29F080A-70 | 8M (1M X 8) BIT |
| MBM29F080A-90 | 8M (1M X 8) BIT |
| MBM29F080 | CMOS 8M (1M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F160BE-55PFTN | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F080AC-70PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8) BIT |
| MBM29F080AC-90PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8) BIT |
| MBM29F080AC-90PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8) BIT |
| MBM29F080AC-90PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8) BIT |
| MBM29F080AC-90PTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8) BIT |
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