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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F200BC-90PFTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Replaced by TPS2042B : 0.7A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85 |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 21/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 508K |
| 代理商： | MBM29F200BC-90PFTN |
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21
MBM29F200TC
-55/-70/-90
/MBM29F200BC
-55/-70/-90
Write Pulse “Glitch” Protection
Noise pulses of less than 5 ns (typical) on OE, CE, or WE will not initiate a write cycle.
Logical Inhibit
Writing is inhibited by holding any one of OE = V
IL
, CE = V
IH
, or WE = V
IH
. To initiate a write cycle CE and WE
must be a logical zero while OE is a logical one.
Power-Up Write Inhibit
Power-up of the device with WE = CE = V
IL
and OE = V
IH
will not accept commands on the rising edge of WE.
The internal state machine is automatically reset to the read mode on power-up.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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