參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29F400TC-55PF
廠商： FUJITSU LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
中文描述： 256K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO44
封裝： PLASTIC, SOP-44
文件頁(yè)數(shù)： 38/47頁(yè)
文件大小： 542K
代理商： MBM29F400TC-55PF
38
MBM29F400TC
-55/-70/-90
/MBM29F400BC
-55/-70/-90
Figure 20 Embedded Erase Algorithm
EMBEDDED ALGORITHMS
* :The sequence is applied for
×
16 mode.
The addresses differ from
×
8 mode.
Start
555H/AAH
2AAH/55H
555H/AAH
555H/80H
555H/10H
2AAH/55H
555H/AAH
2AAH/55H
555H/AAH
555H/80H
2AAH/55H
Additional sector
erase commands
are optional.
Write Erase Command
Sequece
(See Below)
Data Polling or Toggle Bit
Successfully Completed
Erasure Completed
Chip Erase Command Sequence*
(Address/Command):
Individual Sector/Multiple Sector*
Erase Command Sequence
(Address/Command):
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Sector Address/30H
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29F400TC-55PFTN 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29F400TC-55PFTR 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29F400TC-70 Replaced by TPS2044B : 0.7A, 2.7-5.5V Quad (2In/4Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC 0 to 85
MBM29F400TC-70PF 4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29F400TC-70PFTN Replaced by TPS2044B : 0.7A, 2.7-5.5V Quad (2In/4Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC 0 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29F400TC-55PFTN 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT
MBM29F400TC-55PFTR 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT
MBM29F400TC-70 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29F400TC-70PF 制造商:FUJI 功能描述: 制造商:Fuji Electric 功能描述:
MBM29F400TC-70PF-S# 制造商:FUJITSU 功能描述:
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