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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F400TC-55PF |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO44 |
| 封裝： | PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁數(shù)： | 39/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 542K |
| 代理商： | MBM29F400TC-55PF |
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39
MBM29F400TC
-55/-70/-90
/MBM29F400BC
-55/-70/-90
Figure 21 Data Polling Algorithm
Note:
DQ
7
is rechecked even if DQ
5
= “1” because DQ
7
may change simultaneously with DQ
5
.
VA = Byte address for programming
= Any of the sector addresses
within the sector being erased
during sector erase operation
= Any of the sector addresses
within the sector not being
protected during chip erase
operation
Fail
DQ
7
= Data
No
No
DQ
7
= Data
DQ
5
= 1
Pass
Yes
Yes
No
Start
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Yes
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F400TC-55PFTN | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29F400TC-55PFTR | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29F400TC-70 | Replaced by TPS2044B : 0.7A, 2.7-5.5V Quad (2In/4Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC 0 to 85 |
| MBM29F400TC-70PF | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29F400TC-70PFTN | Replaced by TPS2044B : 0.7A, 2.7-5.5V Quad (2In/4Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC 0 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F400TC-55PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400TC-55PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400TC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29F400TC-70PF | 制造商:FUJI 功能描述: 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| MBM29F400TC-70PF-S# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
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