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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV004TC-70PTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M (512K X 8) BIT |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO40 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40 |
| 文件頁數(shù)： | 42/52頁 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | MBM29LV004TC-70PTR |
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MBM29LV004TC
-70/-90/-12
/MBM29LV004BC
-70/-90/-12
42
555H/AAH
2AAH/55H
555H/AAH
555H/80H
555H/10H
2AAH/55H
555H/AAH
2AAH/55H
555H/AAH
555H/80H
2AAH/55H
Additional sector
erase commands
are optional.
Write Erase Command
Sequence
(See below)
Data Polling or Toggle Bit
Successfully Completed
Chip Erase Command Sequence
(Address/Command):
Individual Sector/Multiple Sector
Erase Command Sequence
(Address/Command):
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Erasure Completed
Start
Figure 18 Embedded Erase
TM
Algorithm
EMBEDDED ALGORITHMS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV004TC-90 | 4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004TC-90PTN | 4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004TC-90PTR | 4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004B | CMOS 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲器) |
| MBM29LV004T | CMOS 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV004TC-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004TC-90PNS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004TC-90PTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004TC-90PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV008BA | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8) BIT |
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